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Fehlersuche bei Wheelie II Platinen
by dalotel » Sun Jan 22, 2012 12:00 am
Schon richtig, da wird nur je 1 x Ein/Aus geschaltet.
Und zu fast 100% fließt dann der Betriebsstrom.
Bei 60A/36V und 5mR würde ich die 11W Verlustleistung,
trotzdem gerne etwas aufteilen.
Ich werde zu gegebener Zeit mal ein paar Versuche machen.
Und zu fast 100% fließt dann der Betriebsstrom.
Bei 60A/36V und 5mR würde ich die 11W Verlustleistung,
trotzdem gerne etwas aufteilen.
Ich werde zu gegebener Zeit mal ein paar Versuche machen.
- dalotel
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by udo » Sun Jan 22, 2012 12:00 am
guenterDer Mosfet könnte zusammen mit einem extra Stromsensor und einem Tiny nahe an der Batterie plaziert werden...
Was für einen Tiny würdest Du da hinsetzen wollen?
Mir schwirrt die ganze Zeit im Hinterkopf auch das Batterieladethema durch den Kopf, das ich für mich noch nicht durchdacht habe. Welchen Batterietyp verwendest Du und welches Ladeprinzip? Vielleicht lässt sich ja aus dem ganzen eine elegante Batterieelektronik schneidern die Laden und Sichern auf einem Modul abdeckt?
- udo
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by guenter » Sun Jan 22, 2012 12:00 am
Hallo,
im Falle des erwähnten Transistors, wären mid. 6 Stück, besser 8 Stück notwendig. Ausgehend von einem mittleren Rdson von 13mOhm und 42A Dauerstrom (1000W / 24V) macht das 23 Watt.
Auf eine Platine verlötet erträgt der Transistor 3,75 Watt.
23/3,75 = 6,1 Transistoren.
23 Watt zu verheizen ist aber irgendwie nicht hübsch.
im Falle des erwähnten Transistors, wären mid. 6 Stück, besser 8 Stück notwendig. Ausgehend von einem mittleren Rdson von 13mOhm und 42A Dauerstrom (1000W / 24V) macht das 23 Watt.
Auf eine Platine verlötet erträgt der Transistor 3,75 Watt.
23/3,75 = 6,1 Transistoren.
23 Watt zu verheizen ist aber irgendwie nicht hübsch.
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guenter - Posts: 1117
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by guenter » Sun Jan 22, 2012 12:00 am
Für einen Highside N-Kanal wäre sowas nett:
http://cds.linear.com/docs/Datasheet/1910fa.pdf
Die N-Kanäler sind auch deutlich besser:
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf7749l2pbf.pdf
http://cds.linear.com/docs/Datasheet/1910fa.pdf
Die N-Kanäler sind auch deutlich besser:
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf7749l2pbf.pdf
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guenter - Posts: 1117
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by thomas scherer » Mon Jan 23, 2012 12:00 am
Wieso unbedingt high-side-switch?
Low-side geht genau so gut und hat den Vorteil besserer N-Kanal-FETs.
Der IRFB4110 hat einen typischen RDSon von 3,7mΩ. Bei vier Stück parallel liegt man <1mΩ. Auch bei 50A fallen nur 2,5W Verluste an.
Selbst bei 100A sind das 10W bzw. 2,5W pro Transistor.
Low-side geht genau so gut und hat den Vorteil besserer N-Kanal-FETs.
Der IRFB4110 hat einen typischen RDSon von 3,7mΩ. Bei vier Stück parallel liegt man <1mΩ. Auch bei 50A fallen nur 2,5W Verluste an.
Selbst bei 100A sind das 10W bzw. 2,5W pro Transistor.
- thomas scherer
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